Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
N channel
Descripción
73055 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
NPN, Vceo=400V, Ic=12A
Descripción
72594 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
MOSFET, small signal, 500 mA, 60 V
Descripción
51952 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 100mA, RDON on-resistance 2.2R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.8-1.5V,
Descripción
53031 PCS
En stock
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
N-channel, 650V, 8A, 1.4Ω@10V
Descripción
56824 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
N-channel 1000V 6.5A
Descripción
87224 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
83577 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 150V Continuous drain current (Id): 8.6A Power (Pd): 39W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 196mΩ@10V, 4A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 2.0@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 8.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.45nF@75V, Vds=150v Id=8.6A Rds=196mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
55317 PCS
En stock
Número de pieza
Ruichips (Ruijun Semiconductor)
Fabricantes
N+P channel, 30V, 30A
Descripción
51578 PCS
En stock
