Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Double P groove 30V 3A
Descripción
54523 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
50906 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 500V, 4.5A, 950mΩ@10V
Descripción
86963 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 11V Collector Current (Ic): 50mA Power (Pd): 200mW Collector Cutoff Current (Icbo): 50nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@10mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 82@5mA, 10V Characteristic frequency (fT): 3.2GHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Descripción
77961 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
N-channel 30V 10.5A
Descripción
63905 PCS
En stock
