Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
IGBT module
Descripción
90776 PCS
En stock
Número de pieza
MSKSEMI (Mesenco)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V Collector Current (Ic): 100mA Power (Pd): 200mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@100mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 110@2mA, 5V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: +150℃@(Tj) 110-220
Descripción
65426 PCS
En stock
Número de pieza
XDM (Xin Da Mao)
Fabricantes
VDMOS single tube
Descripción
80635 PCS
En stock
Número de pieza
Slkor (Sakor Micro)
Fabricantes
Type P VDSS(V) -30 ID@TC=43?C(A) -4 PD@TC=43?C(W) 0.75 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.23V 86
Descripción
52796 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N channel
Descripción
69070 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
74198 PCS
En stock
Número de pieza
RealChip (Shenxin Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
79285 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
PNP, Vceo=-60V, Ic=-600mA
Descripción
95404 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
MOS, TO-220, N-channel, 100V, 30A, 33mΩ (Max), 145W
Descripción
76883 PCS
En stock