Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Semiconductor transistor field effect transistor MOS tube, TO-251A, P channel, withstand voltage: -30V, current: -90A, 10V internal resistance (Max): 0.0065Ω, 4.5V internal resistance (Max): .009Ω, power: 130W
Descripción
91233 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
54573 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
CSD83325L, Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-PICOSTAR
Descripción
83011 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
95799 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
58385 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V Collector Current (Ic): 200mA Power (Pd): 350mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 750mV@50mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 50@10mA, 10V Operating temperature: +150℃@(Tj)
Descripción
96363 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
55149 PCS
En stock
