Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
95030 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
P-channel, -60V, -1.6A, 345mΩ@-10V
Descripción
79844 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
N-channel, 30V, 254mA, 1.4Ω@4.5V
Descripción
79046 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
56820 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
N-channel, 30V, 150A
Descripción
80034 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
97097 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 250W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@ 10V, 40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.14nF@20V , Vds=40V Id=170A Rds =2.3mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
90988 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This high voltage PNP bipolar transistor is suitable for general purpose amplifier applications. The device features a SOT-223 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Descripción
50468 PCS
En stock
Número de pieza
BPS (Shanghai Jingfeng Mingyuan)
Fabricantes
Descripción
50339 PCS
En stock