Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Potens (Bosheng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
88786 PCS
En stock
Número de pieza
CET (Huarui)
Fabricantes
N-channel, 600V, 7.5A
Descripción
50448 PCS
En stock
Número de pieza
ROHM (Rohm)
Fabricantes
Dual N-channel, 30V, 100mA
Descripción
63677 PCS
En stock
Número de pieza
Jilin Huawei
Fabricantes
NPN 400V 4A
Descripción
51932 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
77163 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
N-channel, 60V, 2.3A
Descripción
54076 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
69122 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
CSD25213W10 P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD25213W10
Descripción
63532 PCS
En stock
Número de pieza
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricantes
Triode Transistor type: 2 PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 45V Collector current (Ic): 200mA Power (Pd): 300mW Collector cut-off current (Icbo): 15nA Collector-emitter saturation voltage (VCE (sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 300@2mA, 5V Characteristic frequency (fT): 200MHZ Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj )
Descripción
68289 PCS
En stock