Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
YANGJIE (Yang Jie)
Fabricantes
YJG90N04A-F1-0100HF
Descripción
77947 PCS
En stock
Número de pieza
ORIENTAL SEMI (Dongwei)
Fabricantes
Descripción
99523 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Semiconductor transistor field effect transistor MOS tube, TO-252, P channel, withstand voltage: -100V, current: -20A, 10V internal resistance (Max): 0.11Ω, 4.5V internal resistance (Max): 0.13Ω, power: 50W
Descripción
94446 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
80743 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
86154 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
91646 PCS
En stock
Número de pieza
WINSOK (Weishuo)
Fabricantes
Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 6 ID(A)Max. 0.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.17V 800 Qg(nC)@4.5 V 3 QgS(nC) 1 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) - Coss(pF) - Crss(pF) -
Descripción
94685 PCS
En stock
Número de pieza
Littelfuse (American Littelfuse)
Fabricantes
Descripción
71746 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This P-channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of the advanced PowerTrench process. It is optimized for power management applications with wide gate drive voltage ratings (1.8V – 8V).
Descripción
90522 PCS
En stock