Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Transistor Type: PNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 300V Collector Current (Ic): 200mA Power (Pd): 300mW Collector Cutoff Current (Icbo): 250nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 200mV@20mA, 2mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA, 10V Characteristic frequency (fT): 50MHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Descripción
60995 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
59332 PCS
En stock
Número de pieza
LRC (Leshan Radio)
Fabricantes
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA, hfe=80~200
Descripción
79905 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
N-channel, 150V, 4.8A, 85mΩ@10V
Descripción
96139 PCS
En stock
Número de pieza
ElecSuper (Jingxin Micro)
Fabricantes
Descripción
83347 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
79745 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
MOSFET N-CH 150V
Descripción
79119 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
MOSFET N-CH 150V
Descripción
73105 PCS
En stock
Número de pieza
ROHM (Rohm)
Fabricantes
NPN - pre-biased, VCC=50V, Ic=100mA
Descripción
56849 PCS
En stock