Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 30V, 24A, 2.6mΩ@10V
Descripción
62187 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
53171 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
PNP, Vceo=-45V, Ic=-0.1A
Descripción
76409 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced Power Trench process. It is optimized for high switching performance and very low RDS(ON).
Descripción
64115 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
70026 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
NPN 400V/1.5A switching transistor.
Descripción
83415 PCS
En stock
Número de pieza
TOSHIBA (Toshiba)
Fabricantes
N-channel, 60V, 17A, 11.4mΩ@10V
Descripción
60750 PCS
En stock
Número de pieza
WINSOK (Weishuo)
Fabricantes
Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -40 VGS(V) 20 ID(A)Max. -24 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.256V 46 Qg( nC)@4.5V 9 QgS(nC) 2.54 Qgd(nC) 3.1 Ciss(pF) 1904 Coss(pF) 108 Crss(pF) 80
Descripción
93891 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
60547 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
92750 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Field effect transistor (MOSFET) P-channel, VDSS withstand voltage 50V, ID current 130mA, RDON on-resistance 5R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.8-2.0V
Descripción
77376 PCS
En stock
