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MSKSEMI (Mesenco)

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2SD1164 DAR

Número de pieza

2SD1164 DAR

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)

Fabricante/Marca

MSKSEMI (Mesenco)

Encapsulación

SOT-89

Embalaje

taping

Número de paquetes

1000

Descripción

Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 32V Collector current (Ic): 1A Power (Pd): 500mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 180@100mA, 3V 180~390 NPN , Vceo=32V, Ic=1A, hfe=180~390, silk screen DAR

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