AGM-Semi (core control source)
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AGM15N10D-G
AGM15N10D-G
Número de pieza
AGM15N10D-G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 16A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 6nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.52nF@50V, Vds=100V Id=16A Rds=75mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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