AGM-Semi (core control source)
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AGM15N10D N-channel 100V 15A 85mΩ

AGM15N10D

N-channel 100V 15A 85mΩ
Número de pieza
AGM15N10D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 15A Power (Pd): 46W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@ 10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 19nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.635nF@50V , Vds=100V Id=15A Rds =85mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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