AGM-Semi (core control source)
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AGM306C
N-channel 30V 60A 5.7mΩ
Número de pieza
AGM306C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 51W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.07nF@15V ,Vds=30V Id=60A Rds=5.7mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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