AGM-Semi (core control source)
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AGM30P05D P-channel 30V 75A 5.5mΩ

AGM30P05D

P-channel 30V 75A 5.5mΩ
Número de pieza
AGM30P05D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 75A Power (Pd): 59.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.5mΩ @10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V ,Vds=30v Id=75A Rds= 5.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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