AGM-Semi (core control source)
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AGM30P08A
AGM30P08A
Número de pieza
AGM30P08A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous drain current (Id): 60V Power (Pd): 60W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@10V, 20A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250μA Gate charge (Qg@Vgs): 32nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V, Vdss=30V Id=60A Rds=7.2mΩ, work Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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