Comprar AGM-Semi (core control source) AGM30P10A P-channel 30V 40A 11mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM30P10A

P-channel 30V 40A 11mΩ

Número de pieza

AGM30P10A

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN5X6

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field effect transistor (MOSFET) type: P-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 40A power (Pd): 3.6W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ @10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.65nF@25V ,Vds=30V Id=40A Rds=11mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;

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