AGM-Semi (core control source)
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AGM30P12M P+P channel 30V 14A 10mΩ

AGM30P12M

P+P channel 30V 14A 10mΩ
Número de pieza
AGM30P12M
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOP-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 14A Power (Pd): 3.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V, 8A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.65nF@15V , Vds=30V Id= 14A Rds=10mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) ;
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