AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM30P20AP
AGM30P20AP
Número de pieza
AGM30P20AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous Drain current (Id): 18A Power (Pd): 28W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 18mΩ@10V, 5A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 12nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.86nF@15V, Vds=30v Id=18A Rds=18mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 66875 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGM30P20AP
AGM30P20AP Componentes electrónicos
AGM30P20AP Ventas
AGM30P20AP Proveedor
AGM30P20AP Distribuidor
AGM30P20AP Tabla de datos
AGM30P20AP Fotos
AGM30P20AP Precio
AGM30P20AP Oferta
AGM30P20AP El precio más bajo
AGM30P20AP Buscar
AGM30P20AP Adquisitivo
AGM30P20AP Chip