Comprar AGM-Semi (core control source) AGM318MN N+N channel 30V 8A 16mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM318MN

N+N channel 30V 8A 16mΩ

Número de pieza

AGM318MN

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOP-8

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 8A Power (Pd): 3.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V, 11A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 8.6nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.333nF@10V , Vds=30V Id =8A Rds=16mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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