AGM-Semi (core control source)
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AGM3400E
AGM3400E
Número de pieza
AGM3400E
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 5.6A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V, 5.6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.9V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.63nF@15V , Vds=30V Id=5.6A Rds=20mΩ , Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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