Comprar AGM-Semi (core control source) AGM3415E P-channel 20V 5.0A 28mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM3415E

P-channel 20V 5.0A 28mΩ

Número de pieza

AGM3415E

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOT-23-3

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 1.32W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 28mΩ @4.5V, 4A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.8nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.83nF@10V, Vds=20v Id =5.0A Rds=28mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3encapsulation;

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