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AGM-Semi (core control source)

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AGM406MNA

Número de pieza

AGM406MNA

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

DFN5x6

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 53A Power (Pd): 27W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.63nF@15V , Vds=40V Id=53A Rds=6.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)DFN5*6encapsulation;

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