AGM-Semi (core control source)
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AGM40P100C
P-channel 40V 114A 4.6mΩ
Número de pieza
AGM40P100C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220C
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 114A Power (Pd): 135W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.6mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 106nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.7nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj )
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