AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM40P26AP
AGM40P26AP
Número de pieza
AGM40P26AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 6A Power (Pd): 2.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.1nF@20V, Vds=40V Id=6A Rds=32mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 98847 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGM40P26AP
AGM40P26AP Componentes electrónicos
AGM40P26AP Ventas
AGM40P26AP Proveedor
AGM40P26AP Distribuidor
AGM40P26AP Tabla de datos
AGM40P26AP Fotos
AGM40P26AP Precio
AGM40P26AP Oferta
AGM40P26AP El precio más bajo
AGM40P26AP Buscar
AGM40P26AP Adquisitivo
AGM40P26AP Chip