AGM-Semi (core control source)
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AGM40P30AP
P-channel 40V 33A 26mΩ
Número de pieza
AGM40P30AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN3.3x3.3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 40V Continuous drain current (Id): 33A Power (Pd): 59W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 26Ω@10V, 10A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 27nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@15V, Vds=40v Id=33A Rds=26mΩ, operating temperature: -55 ℃~+150℃@(Tj)
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