AGM-Semi (core control source)
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AGM40P35A-KU
AGM40P35A-KU
Número de pieza
AGM40P35A-KU
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 40V Continuous drain current (Id): 60A Power (Pd): 30W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 11mΩ@10V, 12A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): -1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 72nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.66nF@20V, Vds=40v Id=60A Rds=11mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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