AGM-Semi (core control source)
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AGM40P35A
P-channel 40V 60A 11mΩ
Número de pieza
AGM40P35A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN(5x6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 30W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,12A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 72nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.66nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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