AGM-Semi (core control source)
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AGM40P55AP P-channel 40V 50A 8.9mΩ

AGM40P55AP

P-channel 40V 50A 8.9mΩ
Número de pieza
AGM40P55AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN(3x3)
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ@10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj ) DFN3*3encapsulation;
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