AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM40P55D P-channel 40V 50A 8.9mΩ

AGM40P55D

P-channel 40V 50A 8.9mΩ
Número de pieza
AGM40P55D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ @10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V ,Vds=40V Id=50A Rds=8.9mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 56432 PCS
Información del contacto
Palabras clave deAGM40P55D
AGM40P55D Componentes electrónicos
AGM40P55D Ventas
AGM40P55D Proveedor
AGM40P55D Distribuidor
AGM40P55D Tabla de datos
AGM40P55D Fotos
AGM40P55D Precio
AGM40P55D Oferta
AGM40P55D El precio más bajo
AGM40P55D Buscar
AGM40P55D Adquisitivo
AGM40P55D Chip