Comprar AGM-Semi (core control source) AGM40P65E P-channel 40V 3.3A 70mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM40P65E

P-channel 40V 3.3A 70mΩ

Número de pieza

AGM40P65E

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOT-23-3

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 3.3A Power (Pd): 1.4W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 14nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.6nF@20V , Vds=40V Id= 3.3A Rds=70mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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