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AGM-Semi (core control source)

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AGM418MNA

Número de pieza

AGM418MNA

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN5x6

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 22A Power (Pd): 3.7W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 17mΩ@10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.9nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.66nF@20V, Vds=40v Id=22A Rds=17mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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