AGM-Semi (core control source)
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AGM420MAP
AGM420MAP
Número de pieza
AGM420MAP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 40V Continuous Drain current (Id): 13.5A/-10.8A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 16mΩ@10V,5A; 42mΩ@-10V,-4V Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA/-1.7@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 8.9nC@10V/20nc @-10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.516nF@20V/0.75nF@0V, Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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