AGM-Semi (core control source)
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AGM60P100A
P-channel 60V 100A 5.5mΩ
Número de pieza
AGM60P100A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 100A Power (Pd): 150W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 56nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.06nF@30V, Vds=60V Id=100A Rds=5.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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