AGM-Semi (core control source)
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AGM60P20D
AGM60P20D
Número de pieza
AGM60P20D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 18A Power (Pd): 3.0W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 57mΩ@10V, 10A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): -1.8@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.525nF@25V, Vds=60v Id=18A Rds=57mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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