AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM612D
N-channel 60V 50A 11mΩ
Número de pieza
AGM612D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1nF@15V, Vds=60V Id=50A Rds=11mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 69892 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGM612D
AGM612D Componentes electrónicos
AGM612D Ventas
AGM612D Proveedor
AGM612D Distribuidor
AGM612D Tabla de datos
AGM612D Fotos
AGM612D Precio
AGM612D Oferta
AGM612D El precio más bajo
AGM612D Buscar
AGM612D Adquisitivo
AGM612D Chip