Comprar AGM-Semi (core control source) AGM612MN N+N channel 60V 11A 13mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM612MN

N+N channel 60V 11A 13mΩ

Número de pieza

AGM612MN

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOP-8

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 11A Power (Pd): 83W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.7nF@30V, Vds=60V Id=11A Rds=13mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)

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