AGM-Semi (core control source)
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AGM612S
N-channel 60V 11A 11mΩ
Número de pieza
AGM612S
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOP-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 11A Power (Pd): 83W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,15A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.7nF@30V, Vds=60V Id=11A Rds=11mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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