AGM-Semi (core control source)
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AGM614MNA N+N channel 60V 40A 13mΩ

AGM614MNA

N+N channel 60V 40A 13mΩ
Número de pieza
AGM614MNA
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 40A Power (Pd): 20.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 13mΩ@10V, 10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 11.7nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.51nF@30V, Vds=60v Id=40A Rds=13mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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