AGM-Semi (core control source)
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AGM615D
AGM615D
Número de pieza
AGM615D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 45A Power (Pd): 40W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.62V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.64nF@30V, Vds=60V Id=45A Rds=11.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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