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AGM-Semi (core control source)

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AGM628AP

Número de pieza

AGM628AP

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN3x3

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 23A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 19nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.05nF@30V, Vds=60V Id=23A Rds=26mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3x3encapsulation;

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