AGM-Semi (core control source)
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AGM635E
N-channel 60V 5A 32mΩ
Número de pieza
AGM635E
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 5A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 20nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.98nF@20V, Vds=60V Id=5A Rds=32mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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