AGM-Semi (core control source)
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AGM665E
AGM665E
Número de pieza
AGM665E
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 3A Power (Pd): 1.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 60mΩ@10V, 3A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.8nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.4nF@30V, Vds=60v Id=3A Rds=60mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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