Taiwan Semiconductor
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ES1D-T R3g 200V 1A 950mV@1A 35ns

ES1D-T R3g

200V 1A 950mV@1A 35ns
Número de pieza
ES1D-T R3g
Categoría
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Fabricante/Marca
Taiwan Semiconductor
Encapsulación
SMA
Embalaje
taping
Número de paquetes
1800
Descripción
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