HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
ES1G
400V 1A 35ns
Número de pieza
ES1G
Categoría
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
SMA
Embalaje
taping
Número de paquetes
2000
Descripción
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 400V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.25V@1A Reverse current (Ir): 5uA@400V Reverse recovery time ( trr): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 94521 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deES1G
ES1G Componentes electrónicos
ES1G Ventas
ES1G Proveedor
ES1G Distribuidor
ES1G Tabla de datos
ES1G Fotos
ES1G Precio
ES1G Oferta
ES1G El precio más bajo
ES1G Buscar
ES1G Adquisitivo
ES1G Chip