VBsemi (Wei Bi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDC658AP-VB
P-channel 30V 4.8A
Número de pieza
FDC658AP-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SOT-23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 86612 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFDC658AP-VB
FDC658AP-VB Componentes electrónicos
FDC658AP-VB Ventas
FDC658AP-VB Proveedor
FDC658AP-VB Distribuidor
FDC658AP-VB Tabla de datos
FDC658AP-VB Fotos
FDC658AP-VB Precio
FDC658AP-VB Oferta
FDC658AP-VB El precio más bajo
FDC658AP-VB Buscar
FDC658AP-VB Adquisitivo
FDC658AP-VB Chip