HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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HD6362
N-channel 30V 100A
Número de pieza
HD6362
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
TO252-2L
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field effect transistor (MOSFET) N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 100A, RDON on-resistance 4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.0-2.5V,
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