onsemi (Ansemi)
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NRVBSS26T3G
60V 2A 630mV@2A 60V, 2.0A, Schottky diode
Número de pieza
NRVBSS26T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMB (DO-214AA)
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
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Palabras clave deNRVBSS26T3G
NRVBSS26T3G Componentes electrónicos
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