MSKSEMI (Mesenco)
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SI2301CDS-T1-GE3-MS P channel -3A -20V

SI2301CDS-T1-GE3-MS

P channel -3A -20V
Número de pieza
SI2301CDS-T1-GE3-MS
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -20V Continuous Drain Current (Id): -3A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@4.5V, 3A threshold voltage Vgs(th)@Id): -0.3V to -1.1V@250uA
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En stock 58057 PCS
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Palabras clave deSI2301CDS-T1-GE3-MS
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