HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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SI2309A
P-channel 60V 1.6A
Número de pieza
SI2309A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -60V Continuous Drain Current (Id): -1.6A Power (Pd): 1.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@-10V ,-1.5A Threshold voltage (Vgs(th)@Id):-2V@-250uA P-channel,-60V,-1.6A,160mΩ@10V
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