VBsemi (Wei Bi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI3477DV-T1-GE3-VB P-channel 30V 4.8A

SI3477DV-T1-GE3-VB

P-channel 30V 4.8A
Número de pieza
SI3477DV-T1-GE3-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SOT-23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 77749 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI3477DV-T1-GE3-VB
SI3477DV-T1-GE3-VB Componentes electrónicos
SI3477DV-T1-GE3-VB Ventas
SI3477DV-T1-GE3-VB Proveedor
SI3477DV-T1-GE3-VB Distribuidor
SI3477DV-T1-GE3-VB Tabla de datos
SI3477DV-T1-GE3-VB Fotos
SI3477DV-T1-GE3-VB Precio
SI3477DV-T1-GE3-VB Oferta
SI3477DV-T1-GE3-VB El precio más bajo
SI3477DV-T1-GE3-VB Buscar
SI3477DV-T1-GE3-VB Adquisitivo
SI3477DV-T1-GE3-VB Chip